Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.
Produktkennzeichnungen
ISBN-10
3954043513
ISBN-13
9783954043514
eBay Product ID (ePID)
216271068
Produkt Hauptmerkmale
Produktart
Lehrbuch
Sprache
Deutsch
Anzahl der Seiten
216 Seiten
Verlag
Cuvillier, Cuvillier Verlag
Publikationsname
Herstellung und Charakterisierung von High-K Metal-Gate Cmos Transistoren
Autor
Josef Biba
Format
Taschenbuch
Erscheinungsjahr
2013
Zusätzliche Produkteigenschaften
Hörbuch
No
Inhaltsbeschreibung
Paperback
Item Length
21cm
Item Height
1cm
Item Width
14cm
Item Weight
286g
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