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GaN-Based HEMTs for High Voltage Operation: Design, Technology and Characterization von Eldad Bahat-Treidel (2012, Taschenbuch)

Über dieses Produkt

Produktinformation

Gallium nitride (GaN)-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) for high voltage, high power switching and regulating for space applications are studied in this work. Efficient power switching is associated with operation in high OFF-state blocking voltage while keeping the ON-state resistance, the dynamic dispersion and leakage currents as low as possible. The potential of such devices to operate at high voltages is limited by a chain of factors such as subthreshold leakages and the device geometry. Blocking voltage enhancement is a complicated problem that requires parallel methods for solution; epitaxial layers design, device structural and geometry design, and suitable semiconductor manufacturing technique. In this work physical-based device simulation as an engineering tool was developed. An overview on GaN-based HEMTs physical based device simulation using Silvaco-"ATLAS" is given. The simulation is utilized to analyze, give insight to the modes of operation of the device and for design and evaluation of innovative concepts. Physical-based models that describe the properties of the semiconductor material are introduced. A detailed description of the specific AlGaN/GaN HEMT structure definition and geometries are given along with the complex fine meshing requirements. Nitride-semiconductor specific material properties and their physical models are reviewed focusing on the energetic band structure, epitaxial strain tensor calculation in wurtzite materials and build-in polarization models. Special attention for thermal conductivity, carriers' mobility and Schottky-gate-reverse-bias-tunneling is paid. Empirical parameters matching and adjustment of models parameters to match the experimental device measured results are discussed.

Produktkennzeichnungen

ISBN-10
3954040948
ISBN-13
9783954040940
eBay Product ID (ePID)
216227677

Produkt Hauptmerkmale

Produktart
Lehrbuch
Sprache
Englisch
Anzahl der Seiten
220 Seiten
Verlag
Cuvillier, Cuvillier Verlag
Publikationsname
Gan-Based Hemts For High Voltage Operation: Design, Technology And Characterization
Autor
Eldad Bahat-Treidel
Format
Taschenbuch
Erscheinungsjahr
2012

Zusätzliche Produkteigenschaften

Hörbuch
No
Inhaltsbeschreibung
Paperback
Item Length
21cm
Item Height
1cm
Item Width
14cm
Item Weight
291g

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