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Modeling of Thermal Oxidation and Stress Effects von Christian Hollauer (2009, Taschenbuch)

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Über dieses Produkt

Produktinformation

Thermal Oxidation is one of the most important process steps in semiconductor fabrication to produce high quality isolation layers. A chemical reaction converts silicon into silicon dioxide which has more than twice of the original volume. This is the main source for stress and displacements in the oxidized structure. Stress in copper interconnects can be essential for the life time of an integrated circuit, because it can support material transport and lead to void formation. During the fabrication of sensors, where thin film deposition is often used, an intrinsic stress is generated in the layers which can cause unwanted deformation in free standing structures. After an introduction the author describes the advanced oxidation model and shows by means of pictures the verified simulation results. A highlight of this book is the chapter about the Finite Element Method (FEM) which is used to solve the mathematical formulation numerically. In a comprehensible way the author describes how to apply FEM in practice, so that the reader of this book should be able to discretize many other kinds of differential equations and solve them with a computer, which is basic for simulation.

Produktkennzeichnungen

EAN
9783838105321
ISBN
9783838105321
ISBN-10
383810532x
ISBN-13
9783838105321
eBay Product ID (ePID)
80631747

Produkt Hauptmerkmale

Produktart
Lehrbuch
Sprache
Deutsch
Anzahl der Seiten
176 Seiten
Verlag
Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften, Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften Ag Co. Kg
Publikationsname
Modeling of Thermal Oxidation And Stress Effects
Autor
Christian Hollauer
Format
Taschenbuch
Erscheinungsjahr
2009

Maße

Gewicht
250g

Zusätzliche Produkteigenschaften

Hörbuch
No
Inhaltsbeschreibung
Paperback
Item Length
22cm
Item Height
1cm
Item Width
15cm
Sprachausgabe
Deutsch
Seiten
176 Seiten
Item Weight
280g

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