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2SK209-GR Toshiba N-Channel JFET 10V 10mA 150mW SOT233 10 pcs #BP

DARISUS GmbH (74471)

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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeToshiba

Herstellernummer2SK209GR

eBay Product ID (ePID)8009510096

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor

ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET

Maximale Basis-Emitter Spannung10 V

Maximale Verlustleistung150 mW

GehäuseSOT-23-3

Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung4 V

Maximale Betriebstemperatur85 °C

MontageartOberflächenmontage

Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung2 V

KonfigurationEinfach

Anzahl der Pins3

MaßeinheitEinheit

Minimale Betriebstemperatur-25 °C

Kollektor-Emitter-Spannung10 V

Anzahl der Elemente pro Chip1

Maximale Kollektor-Basis Spannung10 V

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