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IRFBC40 Transistor N-MOSFET 600V 6,2A 125W TO220AB - Bild 1 von 1

2X IRFBC40PBF Transistor N-MOSFET unipolar 600V 3 9A 125W TO220AB VISHAY

5.02 Produktbewertungen
Kessler-electronic (793788)
99,6% positive Bewertungen
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Gehäuse TO220AB. N-Kanal -Typ. DS(ON) = 1,2 Ohm. tot = 125 W.
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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeVishay
HerstellernummerIRFBC40PBF
Gtin7429505648600
Upc7429505648600
eBay Product ID (ePID)28004763953

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor
Maximale Basis-Emitter Spannung5 V
Maximale Verlustleistung125 W
GehäuseTO-220AB
Maximaler DC Kollektorstrom6,2 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung2 V
Maximale Betriebstemperatur150 °C
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung3,9 V
KonfigurationEinfach
MontageartDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3
MaßeinheitEinheit
Kollektor-Emitter-Spannung600 V
Minimale Betriebstemperatur-55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Kollektor-Basis Spannung600 V

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Sicherheitsinformationen

Nicht für Kleinkinder geeignetCE-Kennzeichnung
Achtung: Bitte außerhalb der Reichweite von Kindern aufbewahren.Benutzung unter unmittelbarer Aufsicht von Erwachsenen.

Bewertungen und Rezensionen

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5.0
2 Produktbewertungen
  • 2 Nutzer haben dieses Produkt mit 5 von 5 Sternen bewertet
  • 0 Nutzer haben dieses Produkt mit 4 von 5 Sternen bewertet
  • 0 Nutzer haben dieses Produkt mit 3 von 5 Sternen bewertet
  • 0 Nutzer haben dieses Produkt mit 2 von 5 Sternen bewertet
  • 0 Nutzer haben dieses Produkt mit 1 von 5 Sternen bewertet

Relevanteste Rezensionen

  • von tiger631963
    08. Mai. 2024

    sehr schnell, super !

    sehr schnell, super !

    Bestätigter Kauf: JaArtikelzustand: Neu

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