Leistungstransistor / Toshiba MG 300q1us1

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Toshiba MG300Q1US1

Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeToshiba
HerstellernummerMG300Q1US1
eBay Product ID (ePID)1723512407

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor
ProduktartIGBT
Maximale Basis-Emitter Spannung24 V
Maximaler DC Kollektorstrom1 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
MaßeinheitEinheit
Kollektor-Emitter-Spannung300 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Kollektor-Basis Spannung1200 V

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