P55F6EN-5600 Transistor N-MOSFET SHINDENGEN

DARISUS GmbH (73787)
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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeShindengen
HerstellernummerP55F6EN5600
Gtin7437240298295
Upc7437240298295
eBay Product ID (ePID)14061917943

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor
ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
Maximale Basis-Emitter Spannung6 V
Maximale Verlustleistung60 W
GehäuseTO-220F
Maximaler DC Kollektorstrom60 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
Maximale Betriebstemperatur150 °C
KonfigurationEinfach
MontageartPCB-Montage
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung2 V
Anzahl der Pins3
MaßeinheitEinheit
Minimale Betriebstemperatur-25 °C
Kollektor-Emitter-Spannung-60 V, 60 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Kollektor-Basis Spannung220 V

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