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IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 4 pcs #BP
DARISUS GmbH (76368)
99,6% positive Bewertungen
Preis:
€ 5,50
(inkl. MwSt.)
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IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 #BP
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Über dieses Produkt
Produktkennzeichnungen
Marke
Infineon
Herstellernummer
IPD068P03L3GATMA1
Gtin
7431905799721
Upc
7431905799721
eBay Product ID (ePID)
13009573483
Produkt Hauptmerkmale
Transistor-Typ
Leistungstransistor
Produktart
P-Kanal Anreicherungs-MOSFET
Maximale Basis-Emitter Spannung
3 V
Maximale Verlustleistung
100 W
Gehäuse
TO-252
Maximaler DC Kollektorstrom
30 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
1,0 V
Maximale Betriebstemperatur
150 °C
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung
2 V
Montageart
Oberflächenmontage
Konfiguration
Einfach
Anzahl der Pins
3
Maßeinheit
Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung
-30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximale Kollektor-Basis Spannung
30 V
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IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 #BP
Artikel 1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 #BP
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IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 [2 pcs] #BP
Artikel 2 IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 [2 pcs] #BP
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IPD068P03L3GATMA1 Infineon P-Channel Mosfet 30V 70A 100W TO252 [4 pcs] #BP
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