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IRFD024PBF Transistor N-MOSFET unipolar 60V 1 8A 1 3W DIP4 VISHAY

RADIOMAG (37488)
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Gehäuse DIP4. Drain-Source Spannung 60V. Transistortyp N-MOSFET. Widerstand im Leitungszustand 100mΩ. Leistung 1.3W. Drainstrom 2.5A.

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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeVishay

HerstellernummerIRFD024PBF

Gtin7429505647634

Upc7429505647634

eBay Product ID (ePID)11004763482

Produkt Hauptmerkmale

Transistor-TypLeistungstransistor

Maximale Basis-Emitter Spannung4 V

Maximale Verlustleistung1,3 W

GehäuseDIP

Maximaler DC Kollektorstrom2,5 A

Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung4 V

Maximale Betriebstemperatur175 °C

Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung1,3 V

MontageartDurchsteckmontage

MaßeinheitEinheit

Kollektor-Emitter-Spannung-60 V, 60 V

Minimale Betriebstemperatur-55 °C

Anzahl der Elemente pro Chip1

Maximale Kollektor-Basis Spannung60 V

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