Produkt Hauptmerkmale
Transistor-TypLeistungstransistor
ProduktartN-Kanal Anreicherungs-MOSFET
Maximale Basis-Emitter Spannung3 V
Maximale Verlustleistung20 W
GehäuseTO-220
Maximaler DC Kollektorstrom20 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung650 V
Maximale Betriebstemperatur120 °C
MontageartPCB-Montage
KonfigurationEinfach
Anzahl der Pins3
MaßeinheitEinheit
Kollektor-Emitter-Spannung65 V
Minimale Betriebstemperatur-20 °C
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Kollektor-Basis Spannung220 V