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IRFD024PBF Transistor N-MOSFET unipolar 60V 1 8A 1 3W DIP4 VISHAY
RADIOMAG (37713)
99,9% positive Bewertungen
Preis:
€ 1,02
(inkl. MwSt.)
EUR 1,90
· 2–3 Tage Lieferung
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Gehäuse DIP4. Drain-Source Spannung 60V. Transistortyp N-MOSFET. Widerstand im Leitungszustand 100mΩ. Leistung 1.3W. Drainstrom 2.5A.
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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
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Über dieses Produkt
Produktkennzeichnungen
Marke
Vishay
Herstellernummer
IRFD024PBF
Gtin
7429505647634
Upc
7429505647634
eBay Product ID (ePID)
11004763482
Produkt Hauptmerkmale
Transistor-Typ
Leistungstransistor
Maximale Basis-Emitter Spannung
4 V
Maximale Verlustleistung
1,3 W
Gehäuse
DIP
Maximaler DC Kollektorstrom
2,5 A
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
4 V
Maximale Betriebstemperatur
175 °C
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung
1,3 V
Montageart
Durchsteckmontage
Maßeinheit
Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung
-60 V, 60 V
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximale Kollektor-Basis Spannung
60 V
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Zustand
-
Neu
IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Artikel 1 IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
EUR 1,02
+EUR 1,90 Versand
IRFD024 Transistor N-MOSFET 60V 2,5A 1,3W 0,1R DIP4
Artikel 2 IRFD024 Transistor N-MOSFET 60V 2,5A 1,3W 0,1R DIP4
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