5 Stück N-Kanal MOSFET/ Transistor - IPD30N06S4L23ATMA2 - TO-252-3 - 60 V - NEU

nemesis-riesa
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eBay-Artikelnr.:156150641678
Zuletzt aktualisiert am 06. Feb. 2025 14:48:14 MEZAlle Änderungen ansehenAlle Änderungen ansehen

Artikelmerkmale

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Transistorart
1 N-Kanal
Gate-Source-Schwellspannung
1,7 V
Herstellernummer
IPD30N06S4L23ATMA2
Maximale Betriebstemperatur
175 °C
Drain-Source-Widerstand
23 mOhm
Gehäuse
TO-252-3
Produktart
Transistor
Länge
6,5 mm
Maximale Verlustleistung
36 W
Höhe
2,3 mm
Montageart
Oberflächenmontage
Anzahl der Elemente pro Chip
keine Angabe
Abfallzeit
3 ns
Anstiegszeit
1 ns
Konfiguration
Single
Maximale Betriebsfrequenz
keine Angabe
Transistorpolung
N-Kanal
Typische Einschaltverzögerungszeit
4 ns
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Minimale Gleichstromverstärkung
keine Angabe
Transistor-Typ
MOSFET
Serie
IPD30N06
Gate-Source-Spannung
±16 V
Drain-Gleichstrom
30 A
Regelabschaltverzögerungszeit
15 ns
Breite
6,22 mm
Gate-Ladung
21 nC
Marke
Infineon
Anzahl der Kanäle
1
Drain-Source-Durchschlagspannung
60 V
Anzahl der Pins
3
EAN
Nicht zutreffend
Kategorie

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