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5 Stück P-Kanal MOSFET/ Transistor - SI2309CDS-T1-GE3 - SOT-23-3 - 60 V - NEU

nemesis-riesa
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eBay-Artikelnr.:116130145969
Zuletzt aktualisiert am 06. Feb. 2025 14:48:14 MEZAlle Änderungen ansehenAlle Änderungen ansehen

Artikelmerkmale

Artikelzustand
Neu: Neuer, unbenutzter und unbeschädigter Artikel in nicht geöffneter Originalverpackung (soweit ...
Transistorart
1 P-Kanal
Gate-Source-Schwellspannung
3 V
Herstellernummer
SI2309CDS-T1-GE3
Maximale Betriebstemperatur
150 °C
Drain-Source-Widerstand
345 mOhm
Gehäuse
SOT-23-3
Produktart
Transistor
Länge
2,9 mm
Maximale Verlustleistung
1,7 W
Höhe
1,45 mm
Montageart
Oberflächenmontage
Anzahl der Elemente pro Chip
keine Angabe
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
10 ns
Konfiguration
Single
Maximale Betriebsfrequenz
keine Angabe
Transistorpolung
P-Kanal
Typische Einschaltverzögerungszeit
5 ns
Minimale Betriebstemperatur
-55 °C
Minimale Gleichstromverstärkung
keine Angabe
Transistor-Typ
MOSFET
Serie
SI2
Gate-Source-Spannung
±20 V
Drain-Gleichstrom
1,6 A
Regelabschaltverzögerungszeit
15 ns
Breite
1,6 mm
Gate-Ladung
2,7 nC
Marke
Vishay
Anzahl der Kanäle
1
Drain-Source-Durchschlagspannung
60 V
Anzahl der Pins
3
EAN
Nicht zutreffend

Artikelbeschreibung des Verkäufers

Rechtliche Informationen des Verkäufers

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USt-IdNr.: DE 281224527
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BRN: HRB30769
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nemesis-riesa

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