Entwicklung eines neuen Feldeffekt-Gassensors mit hybriden Gate-Aufbau und vertikalen Transistordesign von Gunter Freitag (2005, Taschenbuch)

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Das Konzept des entwickelten FGFET (Floating Gate FET) basiert auf dem HSGFET (Hybrid Suspended Gate Field Effect Transistor), einem Feldeffekttransistor mit Luftspalt. Im Vergleich zeigt sich der FGFET gegenüber dem HSG-FET als aussichtsreicherer Kandidat, weil er die größere Empfindlichkeit bei geringerer Einsatzspannung besitzt.
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